· 科波姆熱能電壓薄膜 C型：熱能抗性-33.42 (-33.2)

　　· 布瑞恩氏改善型電磁電壓薄膜：CPU 24.0 (34.0)，電磁抗性-33.42 (-33.2)

　　· 布瑞恩氏改善型爆炸電壓薄膜：CPU 24.0 (28.0)，爆炸抗性-33.42 (-33.2)

　　· 布瑞恩氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：CPU 24.0 (28.0)，動(dòng)能抗性-33.42 (-33.2)

　　· 布瑞恩氏改善型熱能電壓薄膜：CPU 24.0 (28.0)，熱能抗性-33.42 (-33.2)

　　· 博卡拉氏改善型電磁電壓薄膜：電磁抗性-34.5 (-33.2)

　　· 博卡拉氏改善型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-34.5 (-33.2)

　　· 博卡拉氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-34.5 (-33.2)

　　· 博卡拉氏改善型熱能電壓薄膜：熱能抗性-34.5 (-33.2)

　　· 泰瑞氏改善型電磁電壓薄膜：電磁抗性-34.5 (-33.2)

　　· 泰瑞氏改善型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-34.5 (-33.2)

　　· 泰瑞氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-34.5 (-33.2)

　　· 泰瑞氏改善型熱能電壓薄膜：熱能抗性-34.5 (-33.2)

　　· 克爾魯姆電磁電壓薄膜 B型：CPU 26.0 (30.0)，電磁抗性-34.14 (-34.4)

　　· 克爾魯姆爆炸電壓薄膜 B型：CPU 26.0 (30.0)，爆炸抗性-34.14 (-34.4)

　　· 克爾魯姆動(dòng)能電壓薄膜 B型：CPU 26.0 (30.0)，動(dòng)能抗性-34.14 (-34.4)

　　· 克爾魯姆熱能電壓薄膜 B型：CPU 26.0 (30.0)，熱能抗性-34.14 (-34.4)

　　· 森塔姆電磁電壓薄膜 B型：電磁抗性-35.22 (-34.4)

　　· 森塔姆爆炸電壓薄膜 B型：爆炸抗性-35.22 (-34.4)

　　· 森塔姆動(dòng)能電壓薄膜 B型：動(dòng)能抗性-35.22 (-34.4)

　　· 森塔姆熱能電壓薄膜 B型：熱能抗性-35.22 (-34.4)

　　· 科波姆電磁電壓薄膜 B型：電磁抗性-35.22 (-34.4)

　　· 科波姆爆炸電壓薄膜 B型：爆炸抗性-35.22 (-34.4)

　　· 科波姆動(dòng)能電壓薄膜 B型：動(dòng)能抗性-35.22 (-34.4)

　　· 科波姆熱能電壓薄膜 B型：熱能抗性-35.22 (-34.4)

　　· 圖萬(wàn)氏改善型電磁電壓薄膜：CPU 26.0 (30.0)，電磁抗性-35.22 (-34.4)

　　· 圖萬(wàn)氏改善型爆炸電壓薄膜：CPU 26.0 (30.0)，爆炸抗性-35.22 (-34.4)

　　· 圖萬(wàn)氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：CPU 26.0 (30.0)，動(dòng)能抗性-35.22 (-34.4)

　　· 圖萬(wàn)氏改善型熱能電壓薄膜：CPU 26.0 (30.0)，熱能抗性-35.22 (-34.4)

　　· 萊塞勒氏改善型電磁電壓薄膜：電磁抗性-36.3 (-34.4)

　　· 萊塞勒氏改善型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-36.3 (-34.4)

　　· 萊塞勒氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-36.3 (-34.4)

　　· 萊塞勒氏改善型熱能電壓薄膜：熱能抗性-36.3 (-34.4)

　　· 瑟萊尼氏改善型電磁電壓薄膜：電磁抗性-36.3 (-34.4)

　　· 瑟萊尼氏改善型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-36.3 (-34.4)

　　· 瑟萊尼氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-36.3 (-34.4)

　　· 瑟萊尼氏改善型熱能電壓薄膜：熱能抗性-36.3 (-34.4)

　　· 克爾魯姆電磁電壓薄膜 A型：CPU 28.0 (32.0)，電磁抗性-35.94 (-35.6)

　　· 克爾魯姆爆炸電壓薄膜 A型：CPU 28.0 (32.0)，爆炸抗性-35.94 (-35.6)

　　· 克爾魯姆動(dòng)能電壓薄膜 A型：CPU 28.0 (32.0)，動(dòng)能抗性-35.94 (-35.6)

　　· 克爾魯姆熱能電壓薄膜 A型：CPU 28.0 (32.0)，熱能抗性-35.94 (-35.6)

　　· 森塔姆電磁電壓薄膜 A型：電磁抗性-37.02 (-35.6)

　　· 森塔姆爆炸電壓薄膜 A型：爆炸抗性-37.02 (-35.6)

　　· 森塔姆動(dòng)能電壓薄膜 A型：動(dòng)能抗性-37.02 (-35.6)

　　· 森塔姆熱能電壓薄膜 A型：熱能抗性-37.02 (-35.6)

　　· 科波姆電磁電壓薄膜 A型：電磁抗性-37.02 (-35.6)

　　· 科波姆爆炸電壓薄膜 A型：爆炸抗性-37.02 (-35.6)

　　· 科波姆動(dòng)能電壓薄膜 A型：動(dòng)能抗性-37.02 (-35.6)

　　· 科波姆熱能電壓薄膜 A型：熱能抗性-37.02 (-35.6)

　　· 塞特勒氏改善型電磁電壓薄膜：CPU 28.0 (32.0)，電磁抗性-37.02 (-35.6)

　　· 塞特勒氏改善型爆炸電壓薄膜：CPU 28.0 (32.0)，爆炸抗性-37.02 (-35.6)

　　· 塞特勒氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：CPU 28.0 (32.0)，動(dòng)能抗性-37.02 (-35.6)

　　· 塞特勒氏改善型熱能電壓薄膜：CPU 28.0 (32.0)，熱能抗性-37.02 (-35.6)

　　· 阿勒門(mén)氏改善型電磁電壓薄膜：電磁抗性-38.1 (-35.6)

　　· 阿勒門(mén)氏改善型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-38.1 (-35.6)

　　· 阿勒門(mén)氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-38.1 (-35.6)

　　· 阿勒門(mén)氏改善型熱能電壓薄膜：熱能抗性-38.1 (-35.6)

　　· 威贊氏改善型電磁電壓薄膜：電磁抗性-38.1 (-35.6)

　　· 威贊氏改善型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-38.1 (-35.6)

　　· 威贊氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-38.1 (-35.6)

　　· 威贊氏改善型熱能電壓薄膜：熱能抗性-38.1 (-35.6)

　　· 科爾馬克氏改善型電磁電壓薄膜：CPU 30.0 (34.0)，電磁抗性-38.82 (-36.8)

　　· 科爾馬克氏改善型爆炸電壓薄膜：CPU 30.0 (34.0)，爆炸抗性-38.82 (-36.8)

　　· 科爾馬克氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：CPU 30.0 (34.0)，動(dòng)能抗性-38.82 (-36.8)

　　· 科爾馬克氏改善型熱能電壓薄膜：CPU 30.0 (25.0)，熱能抗性-38.82 (-36.8)

　　· 切爾姆氏改善型電磁電壓薄膜：電磁抗性-39.9 (-36.8)

　　· 切爾姆氏改善型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-39.9 (-36.8)

　　· 切爾姆氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-39.9 (-36.8)

　　· 切爾姆氏改善型熱能電壓薄膜：熱能抗性-39.9 (-36.8)

　　· 德拉克里雅氏改善型電磁電壓薄膜：電磁抗性-39.9 (-36.8)

　　· 德拉克里雅氏改善型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-39.9 (-36.8)

　　· 德拉克里雅氏改善型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-39.9 (-36.8)

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